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www.rohm.com
?2012
ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
SiC Schottky Barrier Diode
SCS110KE2
.
?Applications
?Dimensions (Unit : mm)
?Structure
General rectification
?Features
1)Shorter recovery time
2)Reduced temperature dependence
3)High-speed switching possible
?Construction
Silicon carbide epitaxial planer type
?Absolute maximum ratings (Tj=25°C)
Symbol UnitLimits
VRM
V
Reverse voltage (DC) 1200VR
V
A
A
PD
W
Tj °C175
Tstg °C?55 to ?175
Junction to case *6
Rth(j-c)
°C / W
(*3)PW=10?s square,Tj=25°C (*4)Tc=120°C,Tj=150°C,Duty cycle=10% (*5)Tc=25°C (*6)Per Leg / Per Device
?Electrical characteristics
(Tj=25°C) [Per Leg]
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VDC
1200 - - V IR=0.1mA
- 1.50 1.75 V IF=5A,Tj=25°C
- 2.00 - V IF=5A,Tj=175°C
- 5 100
μAVR=1200V,Tj=25°C
-60-
μAVR=1200V,Tj=175°C
- 325 - pF VR=1V,f=1MHz
- 25 - pF VR=800V,f=1MHz
Qc - 20 - nC
VR=800V,di/dt=500A/μs
tc - 15 - ns
VR=800V,di/dt=500A/μs
Switching time
Conditions
Total capacitance C
Total capacitive charge
Parameter
DC blocking voltage
Forward voltage
VF
1.8 / 0.93
(*1)Tc=153°C / 151°C (*2)PW=8.3ms sinusoidal,Tj=25°C
Reverse current
IR
83 / 160*5
Junction temperature
Range of storage temperature
Total power disspation *6
IF
5 / 10 *1
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
1200
A
Repetitive peak forward current *6
IFRM
20 / 39*4
A
24 / 48 *2
97 / 194*3
Surge no repetitive forward current *6
IFSM
Continuous forward forward current *6
15.90
5.03
1.98
3.00
2.40
0.60
5.45
2.03
1.20
20.18
20.95
5.62
6.17
3.61
4.32
3.81
(Unit : mm)
ROHM : ＴO-247
(1) (2) (3)
(1) Anode
(2) Cathode
(3) Anode
Case
Case
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2012.04 - Rev.A
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